收藏本站
型号 SI4800,518
厂商 NXP Semiconductors
描述 MOSFET N-CH 30V 9A SOT96-1
SI4800,518 PDF
代理商 SI4800,518
标准包装 2,500
系列 TrenchMOS™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 30V
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 18.5 毫欧 @ 9A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 800mV @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 11.8nC @ 5V
功率 - 最大 2.5W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装 8-SO
包装 带卷 (TR)
其它名称 934056750518
SI4800 /T3
SI4800 /T3-ND
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
同类型PDF
SI4800BDY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
SI4800BDY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
SI4800BDY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
SI4800BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
SI4800BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
SI4800BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
SI4804BDY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH DUAL 30V 5.7A 8-SOIC
SI4804BDY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH DUAL 30V 5.7A 8-SOIC
SI4804BDY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH DUAL 30V 5.7A 8-SOIC
SI4804BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
SI4804CDY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET 2N-CH 30V 8A SO8
SI4804CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
SI4808DY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH/SCHOTTKY 30V 8SOIC
SI4808DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH/SCHOTTKY 30V 8SOIC
SI4812BDY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC
SI4812BDY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC
SI4812BDY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC
SI4812BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
SI4812BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
SI4812BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC